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 Density Function Theory Study of Polarization-Induced Electron Confinement by Dilute Boron Alloying in ε-Ga2O3 Nanometer-Thick Film for High Electron Mobility Transistor 高电子迁移率晶体管用ε-Ga2O3纳米厚膜中稀薄硼合金化极化诱导电子限制的密度泛函理论研究
相关领域
纳米
材料科学
电子
凝聚态物理
极化（电化学）
电子迁移率
硼
光电子学
化学
物理
物理化学
复合材料
量子力学
有机化学
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| 其它 |
期刊：ACS Applied Nano Materials 作者：Yan Wang; Jiangli Cao; Yen‐Fa Liao; Chuang Zhang; Zhigao Xie; et al 出版日期：2024-04-05 |
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