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![]() 一种新的基于表面势和物理的高保持率和低功耗DRAM应用的多尺度a-IGZO薄膜晶体管紧凑模型
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期刊:2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:Jingrui Guo; Kaizhen Han; Subhali Subhechha; Xinlv Duan; Qian Chen; et al 出版日期:2021-12-11 |
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