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 5.1 Å EOT and low leakage TiN/Al2O3/Hf0.5Zr0.5O2/Al2O3/TiN heterostructure for DRAM capacitor DRAM电容器用5.1ëEOT和低泄漏TiN/Al2O3/Hf0.5Zr 0.5 O2/Al2O3/TiN异质结构
相关领域
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电介质
锡
电容器
德拉姆
高-κ电介质
泄漏（经济）
光电子学
等效氧化层厚度
异质结
动态随机存取存储器
介电常数
电子工程
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期刊：Applied physics letters 作者：Zhijun Luo; Xinzhe Du; Hui Gao; Yue Lin; Wensheng Yan; et al 出版日期：2023-05-09 |
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