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  Joint Use of Thermal Characterization and Simulation of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors in Transient and Steady State Regimes to Estimate the Hotspot Temperature 联合使用AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在瞬态和稳态状态下的热表征和模拟来估计热点温度
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期刊：Electronics 作者：Khalil Karrame; Christophe Chang; Jean‐Christophe Nallatamby; Maggy Colas; Raphaël Sommet 出版日期：2025-02-26 |
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