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Model Based Junction Temperature Profile Control of SiC MOSFETs in DC Power Cycling for Accurate Reliability Assessments
基于模型的SiC MOSFET在直流功率循环中的结温分布控制，用于精确的可靠性评估
相关领域
可靠性（半导体） 动力循环 结温 自行车 温度循环 功率MOSFET 可靠性工程 MOSFET 功率（物理） 电路可靠性 材料科学 电气工程 电子工程 工程类 电压 晶体管 物理 热力学 热的 历史 考古
网址
https://doi.org/10.1109/tia.2024.3403962
DOI
10.1109/tia.2024.3403962 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Industry Applications
作者：Bhanu Teja Vankayalapati; Rahman Sajadi; C. N. Muhammed Ajmal; A. Deshmukh; Masoud Farhadi; et al
出版日期：2024-05-22
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luna 在 2025-12-06 06:54:35 发布自浙江，悬赏 10 积分
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