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 Model Based Junction Temperature Profile Control of SiC MOSFETs in DC Power Cycling for Accurate Reliability Assessments 基于模型的SiC MOSFET在直流功率循环中的结温分布控制，用于精确的可靠性评估
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期刊：IEEE Transactions on Industry Applications 作者：Bhanu Teja Vankayalapati; Rahman Sajadi; C. N. Muhammed Ajmal; A. Deshmukh; Masoud Farhadi; et al 出版日期：2024-05-22 |
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