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 Improved 4H-SiC Metal–Semiconductor Field-Effect Transistors with Double-Symmetric-Step Buried Oxide Layer for High-Energy-Efficiency Applications 用于高能效应用的具有双对称阶梯埋氧化层的改进4H-SiC金属半导体场效应晶体管
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期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Shunwei Zhu; Hujun Jia; Mengyu Dong; Xiaowei Wang; Yintang Yang; et al 出版日期：2022-05-16 |
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