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Heavy Ions Induced Single-Event Transient in SiGe-on-SOI HBT by TCAD Simulation 重离子诱导SiGe-on-SOI HBT单事件瞬态的TCAD模拟
相关领域
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期刊:Micromachines 作者:Y.S. Long; Abuduwayiti Aierken; Xuefei Liu; Mingqiang Liu; Changsong Gao; et al 出版日期:2025-04-29 |
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