Physical interpretation, modeling and impact on phase change memory (PCM) reliability of resistance drift due to chalcogenide structural relaxation

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标题	Physical interpretation, modeling and impact on phase change memory (PCM) reliability of resistance drift due to chalcogenide structural relaxation
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/4418847/4418848/04419107...
DOI	10.1109/iedm.2007.4419107 doi
其它	期刊：2007 IEEE International Electron Devices Meeting 作者：D. Ielmini; S. Lavizzari; D. Sharma; A. L. Lacaita 出版日期：2008-01-05
求助人	聪仔在 2026-01-29 19:05:43 发布自福建，悬赏 10 积分
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