| 标题 |
  Mobility and threshold voltages comparison of zinc nitride-based thin-film transistor fabricated on Si and glass 硅和玻璃基氮化锌薄膜晶体管迁移率和阈值电压的比较
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
光电子学
制作
阈值电压
氮化物
图层（电子）
活动层
溅射沉积
溅射
晶体管
半导体
薄膜
电子迁移率
带隙
电压
电气工程
纳米技术
工程类
替代医学
医学
病理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Research Express 作者：Sachin Surve; M. K. Banerjee; K. Sachdev 出版日期：2020-09-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
大力的灵雁
无极微光
LewisAcid
果冻
lizishu
Twonej
你嵙这个期刊没买
dew
畔畔
杨华启
干净的琦
Zzz
昏睡的蟠桃
泊远轩
Whim
子车茗
henry
eric888
tanya
duanwy
皖公网安备34019202002308
