Mobility and threshold voltages comparison of zinc nitride-based thin-film transistor fabricated on Si and glass

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标题	Mobility and threshold voltages comparison of zinc nitride-based thin-film transistor fabricated on Si and glass 硅和玻璃基氮化锌薄膜晶体管迁移率和阈值电压的比较相关领域材料科学薄膜晶体管光电子学制作阈值电压氮化物图层（电子）活动层溅射沉积溅射晶体管半导体薄膜电子迁移率带隙电压电气工程纳米技术工程类替代医学医学病理
网址	https://doi.org/10.1088/2053-1591/abb69a
DOI	10.1088/2053-1591/abb69a doi
其它	期刊：Materials Research Express 作者：Sachin Surve; M. K. Banerjee; K. Sachdev 出版日期：2020-09-01
求助人	拒绝贪玩。在 2025-12-09 17:45:10 发布自福建，悬赏 10 积分
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