Influence of oxygen vacancy and metal–semiconductor contact on the device performance of amorphous gallium oxide photodetectors

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标题	Influence of oxygen vacancy and metal–semiconductor contact on the device performance of amorphous gallium oxide photodetectors
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/acb9d3
DOI	10.35848/1882-0786/acb9d3 doi
其它	期刊：Applied Physics Express 作者：Shudong Hu; Dongyang Han; K. Jiang; Ningtao Liu; Wei Wang; et al 出版日期：2023-02-07
求助人	Tourist 在 2026-07-10 11:10:44 发布自福建，悬赏 10 积分
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