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 Phenomenological model of reactive r.f.-magnetron sputtering of Si in Ar/O2 atmosphere for the prediction of SiOx thin film stoichiometry from process parameters 相关领域
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期刊：Thin Solid Films 作者：H. Seifarth; J. Schmidt; R. Grötzschel; M. Klimenkov 出版日期：2001-06-01 |
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