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Metal-Induced Oxygen Vacancy Control in InGaZnO/Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Ferroelectric Field-Effect Transistor Arrays for Simultaneous Improvement of Memory Window and Electrical Stability 相关领域
材料科学
铁电性
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铟
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期刊:ACS Nano 作者:Jae Seong Han; Kyungmoon Kwak; Subi Choi; Ju Hyun Lee; Nam Su Heo; et al 出版日期:2026-01-07 |
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