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Realization of Maximum 2 A/mm Drain Current on Top-Gate Atomic-Layer-Thin Indium Oxide Transistors by Thermal Engineering 相关领域
算法
物理
拓扑(电路)
电气工程
计算机科学
工程类
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Pai-Ying Liao; Mengwei Si; Zhuocheng Zhang; Zehao Lin; Peide D. Ye 出版日期:2021-11-17 |
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