| 标题 |
[高分]
 A Large "Read" and "Write" Margins, Low Leakage Power, Six-Transistor 90-nm CMOS SRAM 相关领域
静态随机存取存储器
漏电功率
CMOS芯片
晶体管
泄漏（经济）
电气工程
电压
备用电源
电子工程
低压
工程类
宏观经济学
经济
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| 其它 |
期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Tadayoshi Enomoto; Nobuaki Kobayashi 出版日期：2011-01-01 |
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