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Enhanced nitrogen incorporation in the 〈112̄0〉 directions on the (0001̄) facet of 4H-SiC crystals
4H-SiC晶体(0001̄)面上<112̄0>方向氮的增强结合
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Takato Hashiguchi; Takuto Ota; Shunsuke Asano; Noboru Ohtani 出版日期:2022-07-20 |
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