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Impurity reduction in lightly doped n-type gallium nitride layer grown via halogen-free vapor-phase epitaxy
无卤气相外延生长的轻掺杂n型氮化镓层中杂质的减少
相关领域
杂质
分析化学(期刊)
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期刊:Applied physics letters 作者:Taishi Kimura; Hiromi Shimazu; Keita Kataoka; Kenji Ito; Tadashi Narita; et al 出版日期:2024-01-29 |
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