Structure and properties of InGaAs layers grown by low-temperature molecular-beam epitaxy

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标题	Structure and properties of InGaAs layers grown by low-temperature molecular-beam epitaxy 低温分子束外延生长InGaAs层的结构与性能相关领域砷分子束外延外延退火（玻璃）材料科学分析化学（期刊）晶格常数格子（音乐）电子化学图层（电子）纳米技术衍射光学复合材料冶金物理量子力学色谱法声学
网址	https://doi.org/10.1134/1.1187790
DOI	10.1134/1.1187790 doi
其它	期刊：Semiconductors 作者：M. D. Vilisova; И. В. Ивонин; L. G. Lavrentieva; S. V. Subach; M. P. Yakubenya; et al 出版日期：1999-08-01
求助人	洛苏在 2025-04-24 16:43:47 发布自广东，悬赏 10 积分
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