Selenium-iodide: A low melting point eutectic semiconductor

熔点 半导体 共晶体系 异质结 材料科学 光电子学 碘化物 电阻率和电导率 分析化学(期刊) 化学 无机化学 冶金 合金 复合材料 工程类 电气工程 色谱法
作者
Lars F. Voss,John W. Murphy,Qinghui Shao,R. Henderson,Clint D. Frye,M. A. Stoyer,Rebecca J. Nikolić
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:113 (24) 被引量:8
标识
DOI:10.1063/1.5060269
摘要

Inorganic liquid semiconductors are of interest in harsh radiological environments, flexible electronics, and for direct printing of semiconductor devices. Many elemental and compound liquid semiconductors exist, although the lowest melting point is observed for Se at 221 °C. Recently, reports of liquid Se-S systems have shown betavoltaic and alphavoltaic power generation as a liquid with a reduced melting point of 105 °C. Here, we show the ability to depress the melting point to 57 °C by using equal atomic fractions of selenium and iodine while maintaining semiconducting behavior. A heterojunction structure using ITO and n-GaN as the contacts was selected based on chemical compatibility and predicted band lineups. Electrical and optical measurements were used to deduce the electronic and transport properties of the mixture.
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