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A comparative high-temperature electrical study of single crystal and amorphous ZnGa2O4 as a gate dielectric in β-Ga2O3 MOSCAP devices

无定形固体 材料科学 电介质 光电子学 栅极电介质 单晶 高-κ电介质 退火(玻璃) 介电常数 电阻率和电导率
作者
N. Manikanthababu,Subrata Karmakar,Ishtiaq Firoz Shiam,Injamamul Hoque Emu,Ariful Haque,Ravi Droopad
出处
期刊:Materials Research Bulletin [Elsevier BV]
卷期号:194: 113791-113791 被引量:3
标识
DOI:10.1016/j.materresbull.2025.113791
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