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作者
Xiaolu Zheng,Zhaoning Song,Zhiliang Chen,Sandip S. Bista,Pengbin Gui,Niraj Shrestha,Cong Chen,Chongwen Li,Xinxing Yin,Rasha A. Awni,Hongwei Lei,Chen Tao,Randy J. Ellingson,Yanfa Yan,Guojia Fang
摘要
An appropriately combined triple interface modification, i.e., post-annealing, O2-plasma, and KCl treatments, is employed to ameliorate the optoelectronic properties of sputtered NiOx films and achieve better device performance.
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