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作者
Calvin Yi‐Ping Chao,Yi‐Che Chen,Kuo-Yu Chou,Jhy-Jyi Sze,Fu-Lung Hsueh,Shou-Gwo Wuu
标识
DOI：10.1109/jeds.2014.2318060
摘要
The pinned photodiode capacitance extraction method proposed by Goiffon et al. is discussed, and two additional new methods are presented and analyzed; one based on the full well dependence on photon flux and the other based on the full well dependence on transfer-gate off-voltage.
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