Time of carrier escape and recombination coefficients in InGaN quantum-well active regions of blue, cyan, and green light-emitting diodes

青色 二极管 重组 光电子学 发光二极管 量子阱 蓝光 材料科学 物理 光学 化学 激光器 生物化学 基因
作者
I. Reklaitis,L. Krencius,T. Malinauskas,S. Yu. Karpov,H.‐J. Lugauer,Ines Pietzonka,Martin Straßburg,P. Vitta,R. Tomašiūnas
出处
期刊:Semiconductor Science and Technology [IOP Publishing]
卷期号:34 (1): 015007-015007 被引量:7
标识
DOI:10.1088/1361-6641/aaef06

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