ZnMgO Nanoparticles via Ultrasonic-Assisted Synthesis for Electron Transport Layer in InP-Based QD-LEDs

发光二极管 材料科学 光电子学 图层(电子) 纳米颗粒 电子传输链 超声波传感器 纳米技术 化学 物理 声学 生物化学
作者
Hyeonseung Ban,Yeongho Choi,H Lee,Woon Ho Jung,Jaehoon Lim,Seong‐Yong Cho
出处
期刊:ACS applied nano materials [American Chemical Society]
卷期号:7 (10): 11274-11284 被引量:5
标识
DOI:10.1021/acsanm.4c00820
摘要

Ultrasonic-assisted synthesis was performed to effectively dope ZnO nanoparticles (NPs) with Mg for use in colloidal quantum dot light-emitting diodes (QD-LEDs). When ZnMgO NPs were synthesized through ultrasonic synthesis, higher Mg doping concentrations could be achieved, despite the smaller sizes of NPs than those synthesized using conventional heating methods. Additionally, to improve the stability of the electron transport layer (ETL) in the QD-LED structure, a ZnO/Mg(OH)2 (s-ZnO/Mg) structure was synthesized by first synthesizing ZnO via ultrasonication, followed by Mg treatment. When s-ZnO/Mg was applied to a green-emitting InP QD-LED device, the brightness and efficiency of the device were significantly improved. Specifically, the green-emitting InP QD-LED device exhibited a luminance of 25,396 cd/m2 and an external quantum efficiency (EQE) of 2.51%. These results represent a 1.32- and 1.43-fold increase in luminance and EQE, respectively, compared to the QD-LED device with ultrasound-assisted ZnO. During the lifetime measurement of the QD-LED device, it required approximately 43.0 h to reach half its brightness at a luminance of 2,200 cd/m2, which is a 1.69-fold increase compared to the QD-LED device with ZnO.
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