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4H-SiC superjunction trench MOSFET with reduced saturation current

沟槽 材料科学 饱和电流 击穿电压 光电子学 饱和（图论） 电容 MOSFET 晶体管 耗尽区 电气工程 图层（电子） 电压 半导体 纳米技术 化学 工程类 数学 电极 组合数学 物理化学
作者
Qingyuan He,Xiaorong Luo,Tian Liao,Jie Wei,Gaoqiang Deng,Tao Sun,Jian Fang,Fei Yang
出处
期刊：Superlattices and Microstructures [Elsevier]
日期：2018-10-17 卷期号：125: 58-65 被引量：19
标识
DOI：10.1016/j.spmi.2018.10.016
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