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Surface energetics of graphene oxide and reduced graphene oxide determined by inverse gas chromatographic technique at infinite dilution at room temperature

石墨烯 反相气相色谱法 氧化物 石墨 稀释 表面能 氧化石墨 材料科学 氧化石墨烯纸 纳米技术 吸附 化学工程 化学 有机化学 复合材料 热力学 物理 工程类
作者
Seul‐Yi Lee,Jong‐Hoon Lee,Yeong-Hun Kim,Roop L. Mahajan,Soo‐Jin Park
出处
期刊:Journal of Colloid and Interface Science [Elsevier BV]
卷期号:628 (Pt A): 758-768 被引量:23
标识
DOI:10.1016/j.jcis.2022.07.183
摘要

Graphene is of great interest for many far-reaching applications that involve interparticle interactions in adsorbents, coatings, and composites. A deep understanding of the surface components has been crucial but achieving the most accurate and reliable values of these, unaffected by experimental conditions or the analytical techniques used, remains a major challenge. To this end, we have proposed in this paper a novel approach for the first time, to the best of our knowledge, to determine London dispersive and specific (polar) components including the Lewis acid-base character of the surface free energy of graphene materials (graphene oxide (GO), reduced graphene oxide (rGO), and graphite) using inverse gas chromatography (IGC) technique at an infinite dilution. We have estimated the London dispersive surface energy values of graphite, GO, and rGO as van der Waals interaction to be 156-179, 89-106, and 110-119 mJ m-2, respectively, in the temperature range of 320-360 K. These are attributable to the surface properties impacted by the oxygen moieties, defects, and micropores on the carbon frameworks. Further, the acceptor (KA) and donor (KD) parameters of GO were found to be 0.71 and 0.96, respectively, while those of rGO were 0.54 and 1.05. Notably, the GO is more of the Lewis acid character that could be amphoteric, while the Lewis base characteristics of both GO and rGO are not significantly changed. These results provide foundational knowledge to understand the physicochemical properties of graphene surfaces, which should be helpful to designing interface engineering in various applications.
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