A 0.01-to-2.6-GHz Two-Fold Current Reuse Dual Noise-Canceling LNA Achieving 6.8-K Noise Temperature for Quantum Applications

放大器 电气工程 数学 拓扑(电路) 计算机科学 物理 CMOS芯片 工程类
作者
Mahesh Kumar Chaubey,Chih‐Cheng Lin,Yin‐Cheng Chang,Po‐Chang Wu,Hann-Huei Tsai,Shawn S. H. Hsu
出处
期刊:IEEE Transactions on Circuits and Systems Ii-express Briefs [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (5): 2504-2508 被引量:7
标识
DOI:10.1109/tcsii.2024.3378382
摘要

This brief presents a cryogenic inverter-based two-fold current reuse with a dual noise-canceling low-noise amplifier (LNA) in 40-nm CMOS. The proposed LNA consists of three stages: a current-reuse inverter-based input stage with shunt-resistive feedback and self-body bias (SBB) to mitigate the $V_{\mathrm{ th}}$ increase and boost $r_{\mathrm{ out}}$ under cryogenic temperature. The second stage is the dual auxiliary noise-canceling stage with an additional current reuse parallel transistor to enhance transconductance and suppress the noise of both the main amplifier and auxiliary amplifier. The last stage is a common-source post-amplifier for further gain enhancement. At 4 K, the LNA achieves a measured peak gain $(S_{21})$ of 31 dB, with a large 3-dB bandwidth from 10 MHz to 2.6 GHz and a minimum NF of 0.1 dB (corresponding to noise temperature $T_{N}$ of 6.8 K) at 0.6 GHz under power dissipation of 8.6 mW. The circuit occupies a core area of 0.117 mm2.
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