Bilayer HfO2/Sb2O3 gate dielectric stacks for transistors with 2D semiconducting channels

材料科学 光电子学 栅极电介质 电介质 晶体管 双层 纳米技术 电气工程 化学 工程类 电压 生物化学
作者
Mario Lanza
出处
期刊:Science Bulletin [Elsevier BV]
卷期号:68 (22): 2684-2686 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.scib.2023.10.007
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