Comparison and analysis on static and dynamic performance of 1.2-kV SiC planar MOSFETs with different cell topologies

材料科学平面的网络拓扑 MOSFET 光电子学电气工程计算机科学晶体管电压操作系统工程类计算机图形学（图像）

作者

Huan Wu,Houcai Luo,Jingping Zhang,Bofeng Zheng,Ruonan Wang,Xianping Chen

出处

期刊：Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier]
日期：2024-08-27 卷期号：184: 108849-108849 被引量：2

标识

DOI：10.1016/j.mssp.2024.108849

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