Interfacial Modulation on Co0.2Fe2.8O4 Epitaxial Thin Films for Anomalous Hall Sensor Applications

材料科学 薄膜 霍尔效应 石墨烯 纳米柱 光电子学 异质结 磁滞 纳米技术 凝聚态物理 磁场 纳米结构 量子力学 物理
作者
Tianyu Liu,Lvkang Shen,Shao‐Dong Cheng,He Wang,Yixuan Li,Ming Liu
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:14 (33): 37887-37893 被引量:3
标识
DOI:10.1021/acsami.2c07575
摘要

Magnetic oxide films with a strong anomalous Hall effect (AHE) have attracted much attention due to their strong sensitivity and high polarization for magnetic sensor applications. However, the linearity of the anomalous Hall sensors still needs improving. In this work, we propose to use the interface regulation to improve the linearity of the AHE. We grow spinel ferrite Co0.2Fe2.8O4 (CoFeO) thin films on MgAl2O4 (MAO) substrates and alter their interfacial properties by inserting a graphene layer between the MAO substrate and the CoFeO film. Through a detailed structure and performance analysis, it reveals that the insertion of graphene has not broken the epitaxial nature of the films but endows the film with a nanopillar-like structure. A series of electrical tests show that the Hall resistance signal of our thin film system has high sensitivity and high linearity to the magnetic field. Reduced hysteresis and better linearity of the anomalous Hall resistance were found in the graphene-inserted heterostructure due to differences in the nanostructure and possibly interfacial coupling. These results suggest that interfacial engineering offers a pathway to tune the performance of ferrite thin film systems for sensor applications.
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