Comparative Analysis of Efficiency for First Generation Solar Cells Using PSIM Simulation

计算机科学
作者
Rinku Garg,Ashish Sharma,Ankur Awasthi,Yashwant Singh Bisht,Ahmed Alkhayyat,Aman Sharma
标识
DOI:10.1109/gcitc60406.2023.10426589
摘要

Solar photovoltaics from the first generation are well-developed in terms of their technology and how they are made. They are the oldest photovoltaics technologies that can be bought and sold. Most of the time, they are made from wafers of crystalline silicon (c-Si) or GaAs. GaAs is a direct bandgap semiconductor with a bandgap of 1.43 eV at 300 K. Compared to silicon, it has better optical properties. Silicon, on the other hand, has a bandgap of about 1.12 eV at 300 K and is an indirect bandgap material. So, silicon solar cells need silicon wafers that are thicker than other types in order to absorb enough sunlight. In this paper, simulation in PSIM was used to compare the efficiency of all first-generation solar cells in four different places with different amounts of light and temperatures. Any photovoltaic technology will work less well as the temperature rises. But even at higher temperatures, GaAs solar cells still work well because their temperature coefficient is so low.
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