High-Pressure Bonding Mechanism of Selenium Nitrides

化学 聚合 氮气 氮化物 电子密度 结晶学 高分子化学 电子 聚合物 有机化学 量子力学 物理 图层(电子)
作者
Wenjie Wang,Han Wang,Yue Liu,Da Li,Fubo Tian,Defang Duan,Hongyu Yu,Tian Cui
出处
期刊:Inorganic Chemistry [American Chemical Society]
卷期号:58 (4): 2397-2402 被引量:18
标识
DOI:10.1021/acs.inorgchem.8b02889
摘要

The high-pressure phase diagrams of binary Se-N system have been constructed using the CALYPSO method and first-principles calculations. Four stable compounds ( Cmc21-SeN2, P21 /m-SeN3, P1̅-SeN4, and P1̅-SeN5) were identified at high pressures. Various peculiar nitrogen polymerization forms composed of single/double nitrogen-nitrogen bonds were found at the nitrogen-rich condition, such as N∞-chains in P21/ m-SeN3, oligomeric N8-chains in P1̅-SeN4, and distorted N63- anion rings in P1̅-SeN5. Peculiar nitrogen polymerization forms make these compounds potential high-energy-density materials (HEDMs). Especially, P1̅-SeN5 has the highest energy density of 4.08 kJ g-1 among the selenium nitrides. The polymerization mechanism of nitrogen in the Se-N system has been explored using the "Lewis-like" two-center-two-electron and three-center-two-electron bonding analysis. Using the nitrogen-rich P1̅-SeN5 as a prototype, it is found that the famous N6 distortion in the polymerized nitrogen HEDM can be explained by the interatomic mechanical unbalance which is induced by the three-center two-electron bonding between the metal atom and the two neighboring nitrogen atoms.
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