Research on Simulation Design of MOS Driver for Micro-LED

NMOS逻辑 PMOS逻辑 瞬态(计算机编程) CMOS芯片 逆变器 电子工程 驱动电路 切换时间 电子线路 工程类 电气工程 电压 计算机科学 晶体管 操作系统
作者
Xuesong Zhang,Luqiao Yin,Kailin Ren,Jianhua Zhang
出处
期刊:Electronics [Multidisciplinary Digital Publishing Institute]
卷期号:11 (13): 2044-2044 被引量:7
标识
DOI:10.3390/electronics11132044
摘要

Micro-LED is a new technology applied in the display field, which has the advantages of self-illumination, low power consumption, high brightness, long life and ultra-high resolution, and has broad application prospects. Using MOS devices to drive micro-LED can enable each unit to have its own drive, thus improving the yield and reducing the subsequent repair processes. In this paper, Sentaurus TCAD simulation software is used to design and simulate NMOS/PMOS devices and their driving circuits. For the first time, CMOS inverters are used to directly drive Micro-LED. Three kinds of driving circuits are compared and analyzed according to their simulation results in output characteristics and transient characteristics. In terms of switching characteristics caused by output characteristics, a CMOS inverter driving a micro-LED circuit has no problems of incomplete turn-off and has greater advantages. In the switching characteristics aspect caused by transient characteristics, PMOS driving a micro-LED circuit has the shortest turn-on time and greater advantages. When compared with a micro-LED driven by an access current-limiting resistor, a micro-LED driven by a direct drive has a smaller on-time value and greater advantages.
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