领域(数学)
物理
内科学
妇科
组合数学
医学
数学
纯数学
作者
Merve Acar,Mehmet Ertuğrul
出处
期刊:Erzincan University Journal of Science and Technology
[Erzincan Universitesi Fen Bilimleri Ensitusu Dergisi]
日期:2021-08-31
卷期号:14 (2): 825-836
被引量:1
标识
DOI:10.18185/erzifbed.923845
摘要
Bu çalışmada ağırlıklı olarak güncel çift-kutuplu alan etkili transistör üzerinde duruldu. Cift-kutup, son yıllarda birçok uygulama için önemli hale geldi. Literatürde cift-kutupa neden olan birçok faktör bildirilmiştir. Bununla birlikte, iki kutupluluğun nedenleri literatürde tam olarak araştırılmamıştır. Bu çalışmada, çift kutupluluk derecesi, WS2 FET cihazı için kanal kalınlığının bir fonksiyonu olarak belirlenmiştir. Kalınlık arttıkça çift kutupluluk derecesinin sıfıra yaklaştığı görülmüştür. Ambipolarite derecesinin sıfıra yaklaşması, WS2 kanalının doğal n-tipi davranış sergilediğini ve ambipolarite etkisinin ortadan kalktığını gösterir.
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI