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作者
A. Livingstone,K. Tsubaki,M. Kawashima,Haruka Okamoto,Kenji Kumabe
出处
期刊:Electronics Letters
[Institution of Engineering and Technology]
日期:1983-08-04
卷期号:19 (16): 619-620
被引量:1
摘要
Low field-mobility saturation has been observed in AlGaAs/GaAs heterostructures. Under illumination, the mobility decreases and the carrier concentration increases at high fields. Both effects are thought to be due to ionisation of a centre in the GaAs, probably oxygen. The experimental results are explained in terms of a simple trap model.
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