The effect of hydrogen annealing on the electrical properties of β-Ga2O3/4H-SiC MOSFETs grown by liquid-injection MOCVD

材料科学 金属有机气相外延 退火(玻璃) 光电子学 电阻率和电导率 钝化 接受者 活化能 镓 热传导 氢 薄膜 兴奋剂 氧化物 量子隧道 薄脆饼 半导体 电导率 化学气相沉积 阈值电压 硅 热导率 MOSFET 分析化学(期刊) 电子迁移率 霍尔效应
作者
Fedor Hrubišák,M. Ťapajna,Fridrich Egyenes,Ondrej Pohorelec,Edmund Dobročka,Alica Rosova,Kristina Husekova,Á. Vincze,Pavol Noga,Tibor Ižák,Boris Hudec,T. Ščepka,Filip Gucmann
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:206: 110402-110402 被引量:3
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2025.110402
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