Defect engineering of second-harmonic generation in nonlinear optical semiconductors

二次谐波产生 非线性光学 光电子学 非线性光学 半导体 光学 材料科学 激光器 二次谐波成像显微术 非线性系统 纳米技术 物理 量子力学
作者
Pei Li,Xiao Jiang,Menglin Huang,Lei Kang,Shiyou Chen,Adam Gali,Bing Huang
出处
期刊:Cell reports physical science [Elsevier BV]
卷期号:3 (11): 101111-101111 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.xcrp.2022.101111
摘要

Second-harmonic generation (SHG) plays a key role in developing modern optical devices and quantum optics, as they can expand the wavelength range provided by common laser sources. Conventionally, the modulation of SHG in nonlinear optical (NLO) materials heavily depends on various external effects. In this article, by developing the basic rules that comprise the interplay between defects and the SHG effect, we propose an alternative strategy to intrinsically regulate the SHG of NLO materials via defect engineering, which is feasible via controlling the growth conditions. Using first-principles calculations, we demonstrate that the SHG susceptibility of KBe2BO3F2 (KBBF), the only available deep-ultraviolet NLO material with a weak SHG effect, can be dramatically enhanced by nearly one order of magnitude under specific growth conditions. This is comparable to many other famous narrow-band gap NLO crystals. In general, our developed basic rules and material demonstration could be extended to other NLO systems.
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