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作者
Shubhadip Moulick,Dipanjan Maity,Gautam Samanta,Kalyan Mandal,Atindra Nath Pal
出处
期刊：Nanoscale
[Royal Society of Chemistry]
日期：2024-12-02
摘要
Multilayer tellurium FETs exhibit high-mobility p-type transport with a low Schottky barrier and low electrical noise governed by Hooge's mobility fluctuation model, positioning tellurium as a key material for low-noise, high performance devices.
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