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Pixel detector hybridisation and integration with anisotropic conductive adhesives

互连 颠簸 材料科学 焊接 倒装芯片 光电子学 电镀(地质) 导电体 光刻胶 胶粘剂 纳米技术 机械工程 计算机科学 复合材料 图层(电子) 电信 工程类 物理 地球物理学
作者
A.W.F. Volker,Janis Viktor Schmidt,D. Dannheim,P. Švihra,Mateus Vicente Barreto Pinto,R. De Oliveira,Justus Braach,X. Yang,Marie Ruat,Débora Magalhães,M. Centis Vignali,Giovanni Calderini,Helge Kristiansen
出处
期刊:Journal of Instrumentation [Institute of Physics]
卷期号:19 (05): C05024-C05024 被引量:3
标识
DOI:10.1088/1748-0221/19/05/c05024
摘要

Abstract A reliable and cost-effective interconnect technology is required for the development of hybrid pixel detectors. The interconnect technology needs to be adapted for the pitch and die sizes of the respective applications. This contribution presents recent results of a newly developed in-house single-die interconnection process based on Anisotropic Conductive Adhesives (ACA). The ACA interconnect technology replaces solder bumps with conductive micro-particles embedded in an epoxy layer applied as either film or paste. The electro-mechanical connection between the sensor and ASIC is achieved via thermocompression of the ACA using a flip-chip device bonder. The ACA technology can also be used for ASIC-PCB/FPC integration, replacing wire bonding or large-pitch solder bumping techniques. A specific pixel-pad topology is required to enable the connection via micro-particles and create cavities into which excess epoxy can flow. This pixel-pad topology is achieved with an in-house Electroless Nickel Immersion Gold (ENIG) process. The ENIG and ACA processes are qualified with a variety of different ASICs, sensors, and dedicated interconnect test structures, with pad diameters ranging from 12 μm to 140 μm and pitches between 20 μm and 1.3 mm. The produced assemblies are characterized electrically, with radioactive-source exposures, and in tests with high-momentum particle beams. This contribution introduces the developed interconnect and plating processes and showcases different hybrid assemblies produced and tested with the above-mentioned methods. A focus is placed on recent optimization of the plating and interconnect processes, resulting in an improved plating uniformity and interconnect yield.
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