Fabrication of SiON by Using Tris DMASi(Tris Dimethylamino Silane) Source and Application to Anti-Reflection Coating

본 논문에서는 silane gas를 대체하기 위하여 tris DMASi(Tris Dimethylamino Silane) 소스를 플라즈마 화학기상 증착(PECVD)법을 이용하여 SiON 반사방지막을 제작하였다. SiON 박막은 가스 비, 증착 압력, 기판 온도 및 RF power를 조절하여 제작되었으며, 증착조건에 따른 굴절률과 증착률을 평가하였다. SiON 박막의 화학적 조성비 및 전기적 특성은 XPS, C-V, I-V를 통하여 측정하였다. Tris DMASi 소스를 이용한 SiON/ n+/p-Si(100) 태양전지와 SiNX/n+/p-Si(100) 태양전지를 제작하여 솔라 시뮬레이터 및 Quantum efficiency로 태양전지 효율과 특성을 비교하였다. Tris DMASi 소스를 이용하여 제작한 SiON/n+/p-si(100) 태양전지는 SiNX/n+/p-Si(100) 태양전지와 비슷한 14.40%의 태양전지 효율 및 0.90의 양자 효율이 얻어지는 바 SiON 반사방지막의 제작 및 적용이 가능하다고 판단된다.