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Low-temperature fabrication of high performance indium oxide thin film transistors

薄膜晶体管 制作 材料科学 氧化物 光电子学 晶体管 薄膜 纳米技术 冶金 图层(电子) 电气工程 工程类 病理 电压 替代医学 医学
作者
You Meng,Ao Liu,Ao Liu,Huijun Song,Yang Hou,Byoungchul Shin,Fukai Shan
出处
期刊:RSC Advances [Royal Society of Chemistry]
卷期号:5 (47): 37807-37813 被引量:91
标识
DOI:10.1039/c5ra04145g
摘要

In this study, indium oxide (In2O3) thin-film transistors (TFTs) were fabricated by a fully-solution process at low temperature.
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