Enhancing 229 nm far-UVC LED efficiency via simultaneous polarization engineering in n-AlGaN and p-AlGaN injection layers

发光二极管光电子学材料科学极化（电化学）电压降量子效率二极管载流子产生和复合量子阱半导体能量转换效率宽禁带半导体载流子铟镓氮化物载流子寿命电子工程重组电效率活动层电压钝化电子图层（电子）量子点

作者

Khalid Ayub,Banaras Khan,Muhammad Nawaz Sharif,Hafeez ur Rahaman,M. Ajmal Khan,Hideki Hirayama,Fang Wang,Yuhuai Liu

出处

期刊：Micro and nanostructures [Elsevier BV]
日期：2025-10-04 卷期号：208: 208366-208366

标识

DOI：10.1016/j.micrna.2025.208366

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