Ultrafast (50 ns) $\textit{I}_{\textit{D}}$–$\textit{V}_{\textit{G}}$ Analysis on Oxide Thin-Film Transistors With Morphotropic Phase Boundary State High-$\kappa$ Gate Insulator

相界 绝缘体(电) 材料科学 凝聚态物理 氧化物 绝缘体上的硅 相(物质) 晶体管 超短脉冲 物理 光电子学 光学 量子力学 电压 激光器 冶金
作者
Taeseung Jung,Sooji Nam,Sanghun Jeon
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:: 1-6
标识
DOI:10.1109/ted.2024.3376317

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