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MCT-Based LWIR and VLWIR 2D Focal Plane Detector Arrays for Low Dark Current Applications at AIM

光电二极管 探测器 红外线的 点间距 光电子学 暗电流 量子效率 像素 工作温度 材料科学 物理 光电探测器 波长 红外探测器 光学 响应度 基点 碲化镉汞 热力学
作者
S. Hanna,D. Eich,K.-M. Mahlein,Wolfgang Fick,W. Schirmacher,R. Thöt,J. Wendler,H. Figgemeier
出处
期刊:Journal of Electronic Materials [Springer Science+Business Media]
卷期号:45 (9): 4542-4551 被引量:16
标识
DOI:10.1007/s11664-016-4523-4
摘要

We present our latest results on n-on-p as well as on p-on-n low dark current planar mercury cadmium telluride (MCT) photodiode technology long wavelength infrared (LWIR) and very long wavelength infrared (VLWIR) two-dimensional focal plane arrays (FPAs) with quantum efficiency (QE) cut-off wavelength >11 μm at 80 K and a 512 × 640 pixel format FPA at 20 μm pitch stitched from two 512 × 320 pixel photodiode arrays. Significantly reduced dark currents as compared with Tennant’s “Rule 07” are demonstrated in both polarities while retaining good detection efficiency ≥60% for operating temperatures between 30 K and 100 K. This allows for the same dark current performance at 20 K higher operating temperature than with previous AIM INFRAROT-MODULE GmbH (AIM) technology. For p-on-n LWIR MCT FPAs, broadband photoresponse nonuniformity of only about 1.2% is achieved at 55 K with low defective pixel numbers. For an n-on-p VLWIR MCT FPA with 13.6 μm cut-off at 55 K, excellent photoresponse nonuniformity of about 3.1% is achieved at moderate defective pixel numbers. This advancement in detector technology paves the way for outstanding signal-to-noise ratio performance infrared detection, enabling cutting-edge next-generation LWIR/VLWIR detectors for space instruments and devices with higher operating temperature and low size, weight, and power for field applications.

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