肖特基势垒
材料科学
光电子学
场效应晶体管
肖特基二极管
金属半导体结
晶体管
肖特基效应
电气工程
工程类
电压
二极管
作者
Stephen Kurtin,Carver Mead
出处
期刊：Proceedings of the IEEE
[Institute of Electrical and Electronics Engineers]
日期：1968-01-01
卷期号：56 (9): 1594-1595
被引量：3
标识
DOI：10.1109/proc.1968.6658
摘要
Advantages of the Schottky barrier gate technique are reviewed, and an experimental field-effect transistor constructed from p-type GaSe is discussed. Device characteristics are consistent with calculations based on material parameters and the geometry employed.
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