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作者
Jie Wang,Tiecheng Luo,Zhuo Yang,Yicong He,Jian Li,Gang Wang
出处
期刊:CrystEngComm
[Royal Society of Chemistry]
日期:2023-01-01
卷期号:25 (19): 2925-2938
被引量:1
摘要
The chemical reaction pathway and growth process of Ga 2 O 3 grown via TEGa and H 2 O/O 2 /N 2 O in MOCVD were investigated.
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