Study on A-site Cation Doping of CaBi<SUB>2</SUB>Nb<SUB>2</SUB>O<SUB>9</SUB> with Bismuth Layered Structure

利用固相反应法合成了Ca 1- x (KLa) x /2 Bi 2 Nb 2 O 9 ( x =0~0.20)( x KLaCBNO)铋层状陶瓷, 分析不同KLa掺杂量对CaBi 2 Nb 2 O 9 (CBNO)基陶瓷微观结构、介电、压电及电导性能的影响. XRD分析表明KLa的引入未改变CBNO陶瓷的单相结构. SEM和介电系数温度谱结果分别显示, KLa掺杂量的增加, 细化尺寸趋于一致, 而居里温度( T c )从943℃降低至875℃, 其峰值介电常数减小、峰值介电损耗增大. 当掺杂量 x =0.1时, 样品的高温电阻率较纯CBNO显著升高, 压电系数 d 33 由5.2 pC/N提高到15.8 pC/N, 居里温度高达870℃, 说明A位(KLa)掺杂改性后的CBNO陶瓷在高温传感器等领域具有潜在的应用前景.