3D charge and 2D phonon transports leading to high out-of-plane ZT in n-type SnSe crystals

材料科学 凝聚态物理 声子 热导率 热电效应 热电冷却 硒化物 光电子学 热电材料 物理 工程物理 载流子 电子 兴奋剂 复合材料 热力学 冶金 量子力学
作者
Cheng Chang,Minghui Wu,Dongsheng He,Yanling Pei,Chaofeng Wu,Xuefeng Wu,Hulei Yu,Fangyuan Zhu,Kedong Wang,Yue Chen,Li Huang,Jing‐Feng Li,Jiaqing He,Li‐Dong Zhao
出处
期刊:Science [American Association for the Advancement of Science]
卷期号:360 (6390): 778-783 被引量:1006
标识
DOI:10.1126/science.aaq1479
摘要

Thermoelectric technology enables the harvest of waste heat and its direct conversion into electricity. The conversion efficiency is determined by the materials figure of merit ZT Here we show a maximum ZT of ~2.8 ± 0.5 at 773 kelvin in n-type tin selenide (SnSe) crystals out of plane. The thermal conductivity in layered SnSe crystals is the lowest in the out-of-plane direction [two-dimensional (2D) phonon transport]. We doped SnSe with bromine to make n-type SnSe crystals with the overlapping interlayer charge density (3D charge transport). A continuous phase transition increases the symmetry and diverges two converged conduction bands. These two factors improve carrier mobility, while preserving a large Seebeck coefficient. Our findings can be applied in 2D layered materials and provide a new strategy to enhance out-of-plane electrical transport properties without degrading thermal properties.
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