A benchmark study on tetravalent ion doping in heteroepitaxial β-Ga2O3 films fabricated by pulsed laser deposition

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作者
Ningtao Liu,Haobo Lin,Wenrui Zhang,Jichun Ye
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier]
卷期号:168: 107858-107858 被引量:7
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2023.107858
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