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Threshold voltage instability and polyimide charging effects of LTPS TFTs for flexible displays

聚酰亚胺 材料科学 电容器 基质(水族馆) 薄膜晶体管 光电子学 阈值电压 圆周率 电压 复合材料 电气工程 图层(电子) 化学 晶体管 地质学 工程类 生物化学 海洋学
作者
Hyojung Kim,Jongwoo Park,Taeyoung Khim,Sora Bak,Jang‐Kun Song,Byoungdeog Choi
出处
期刊:Scientific Reports [Nature Portfolio]
卷期号:11 (1) 被引量:19
标识
DOI:10.1038/s41598-021-87950-0
摘要

Abstract In this paper, we investigate the V th shift of p-type LTPS TFTs fabricated on a polyimide (PI) and glass substrate considering charging phenomena. The V th of the LTPS TFTs with a PI substrate positively shift after a bias temperature stress test. However, the V th with a glass substrate rarely changed even with increasing stress. Such a positive V th shift results from the negative charging of fluorine stemmed from the PI under the gate bias. In fact, the C–V characterization on the metal–insulator-metal capacitor reveals that charging at the SiO 2 /PI interface depends on the applied gate bias and the PI material, which agrees well with the TCAD simulation and SIMS analyses. As a result, the charging at the SiO 2 /PI interface contributes to the V th shift of the LTPS TFTs leading to image sticking.

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