Optical and Tunable Electronic Properties of AlAs/InSe Van Der Waals Heterostructures

郭瑞 a 魏星 a 曹末云 a 张研 a 杨云 b 樊继斌 a 刘剑 c 田野 d 赵泽坤 a 段理* ,a ( a 长安大学材料科学与工程学院 西安 710061) ( b 长安大学信息工程学院 西安 710061) ( c 山东大学物理学院 济南 250100) ( d 中国科学院物理研究所 北京 100190) 摘要 由不同二维(2D)材料相互堆叠形成异质结构已成为目前的研究热点, 使用第一性原理的计算方法探究了 AlAs/ InSe 异质结构的几何结构、电子性能和光学性质. 结果表明, AlAs/InSe 异质结构具有典型的 Type-II 型能带排列并且拥 有着 1.28 eV 的间接带隙.通过调节层间距或施加外部电场和应变, 可以有效地改变异质结构的带隙值.有趣的是, 当 应用 5 V/nm 的电场时, 异质结构实现了从